三星将在中国提升3D NAND产量，已累积投资258亿美元

如同往年一样，三星手机今年在国内的表现也是相当不景气，已经都把国内的生产工厂都关闭，并且准备把自己的A系列产品转交给ODM厂商了。不过，三星的其他业务倒是和手机业务相反，比如说NAND闪存芯片业务，这家公司甚至继续往西安工厂投资80亿美元展开其芯片项目，来提高其闪存芯片的产量。

据36氪报道，三星日前已经正式启动其在西安的芯片项目二期第二阶段，投资金额为80亿美元，前期相关资料已经开始准备，将于2021年下半年竣工。报道指出，二期项目建成之后，将新增产能每月13万片。另外，报道指出，三星二期项目的总投资为150亿美元，第一阶段投资约70亿美元已经全部到账，用于新建一条12英寸3D V-NAND闪存芯片生产线。一阶段已经于10月8日进行了月产1000片的投片测试，预计2020年一季度正式竣工投产。

据报道，三星于2012年开始在西安进行高端存储芯片项目投资，一期项目总投资共计108亿美元，主要生产12英寸10-X纳米级NAND闪存芯片产品，目前能够实现月产12万片。加上最新投资的80亿美元，三星已经在西安存储芯片项目上累积投资258亿美元。

目前，三星在韩国华城、平泽以及中国西安进行3D NAND生产，闪存市场上的主要竞争对手有SK海力士、美光科技公司以及东芝公司。尽管国内有几家公司试图进入这一领域，但是，目前还没有一家能够和竞争对手展开有利竞争。