接触窗薄膜工艺

发布时间:2017/10/23 20:37:55

接触窗(contact window)由两部分构成,一部分是作为黏合层的Tl/TiN(glue layer),OPA177GS/2K5另一部分是接触孔的填充物钨栓(W plug)。主要目标是在不出现填洞问题的前提下,RC尽可能低。本节介绍业界在提高填洞能力和降低RC方面的历史、现状和未来的发展。针对glue layer,主要介绍提高台阶覆盖率(step∞verage),侧重机台(tclol)在硬件(hardware)的演变对step∞verage的影响,同时介绍在不同的世代(generation)对∞ntact环节(loop)的要求以及在△艺整合上的调整。对于W,除了介绍填洞方面所做的努力,还会介绍在△艺方面所做的工作,以减少形核层(nucleati°n layer)厚度和增大体层(bulk layer)W晶粒大小为主。

主要的问题

Glue layer是黏合层,增加W与基体(substrate)材料――主要是氧化硅(⒏o2)的结合力。glue layer叉分为Ti和TiN两层。其中Ti起到黏合作用,同时也有一定的清洁(gettering)作用,在高温下能与Si02反应,生成含Ti的硅氧化物降低阻值。只有△不行,因为在沉积W时,是CVD制程,会用到WF6。WF6有很强的氧化性,会与Ti反应,生成一种称为火山口(volcano)的缺陷,造成整个∞ntact与substrate的剥离(peeling),需要有一 层隔离层。TlN就起到阻挡层的作用,它能阻止WF6和Tl的扩散与接触,从而避免了volcan°的形成。只有TiN也不行,因为TiN的应力非常大,容易从substrate上剥离,需要Ti作为缓和层(buffcr layer)来提高接合力。

接触窗(contact window)由两部分构成,一部分是作为黏合层的Tl/TiN(glue layer),OPA177GS/2K5另一部分是接触孔的填充物钨栓(W plug)。主要目标是在不出现填洞问题的前提下,RC尽可能低。本节介绍业界在提高填洞能力和降低RC方面的历史、现状和未来的发展。针对glue layer,主要介绍提高台阶覆盖率(step∞verage),侧重机台(tclol)在硬件(hardware)的演变对step∞verage的影响,同时介绍在不同的世代(generation)对∞ntact环节(loop)的要求以及在△艺整合上的调整。对于W,除了介绍填洞方面所做的努力,还会介绍在△艺方面所做的工作,以减少形核层(nucleati°n layer)厚度和增大体层(bulk layer)W晶粒大小为主。

主要的问题

Glue layer是黏合层,增加W与基体(substrate)材料――主要是氧化硅(⒏o2)的结合力。glue layer叉分为Ti和TiN两层。其中Ti起到黏合作用,同时也有一定的清洁(gettering)作用,在高温下能与Si02反应,生成含Ti的硅氧化物降低阻值。只有△不行,因为在沉积W时,是CVD制程,会用到WF6。WF6有很强的氧化性,会与Ti反应,生成一种称为火山口(volcano)的缺陷,造成整个∞ntact与substrate的剥离(peeling),需要有一 层隔离层。TlN就起到阻挡层的作用,它能阻止WF6和Tl的扩散与接触,从而避免了volcan°的形成。只有TiN也不行,因为TiN的应力非常大,容易从substrate上剥离,需要Ti作为缓和层(buffcr layer)来提高接合力。