三星量产第五代V-NAND闪存：90层堆栈，QLC闪存在路上

2018年各大NAND厂商都已经大规模量产了64层堆栈的3D NAND闪存，以TLC闪存为主，下一代闪存的堆栈层数要继续提升50%达到96层级别。三星今天宣布量产第五代V-NAND闪存，业界首发Toggle DDR 4.0接口，速率达到了1.4Gbps，堆栈层数超过90层。此外，三星还准备推出1Tb核心容量以及QLC结构的V-NAND闪存。

三星的V-NAND是3D NAND闪存中的一种，目前主力生产的是第四代V-NAND，堆栈层数64层，现在量产的是第五代V-NAND闪存，核心容量256Gb并不算高，但是各项指标很强大，它首发支持Toggle DDR 4.0接口，传输速度达到了1.4Gbps，相比64层堆栈的V-NAND闪存提升了40%。

第五代V-NAND闪存的性能、功耗也进一步优化，工作电压从1.8V降至1.2V，同时写入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代闪存提升了30%，读取信号的响应时间也缩短到了50us。

三星的第五代V-NAND闪存内部堆栈了超过90层CTF Cell单元，是目前堆栈层数最高的，这些存储单元通过微通道孔洞连接，每个孔洞只有几百纳米宽，总计包含超过850亿个CTF单元，每个单元可以存储三位数据（这是TLC闪存）。

此外，第五代V-NAND闪存在制造工艺上也做了优化，制造生产效率提升了30%，先进的工艺使得每个闪存单元的高度降低了20%，减少了单位之间的窜扰，提高了数据处理的效率。

除了第五代V-NAND闪存之外，三星还在扩展V-NAND闪存，准备推出核心容量高达1Tb的NAND闪存及QLC类型的闪存，继续推动下一代闪存发展。

三星目前正在加大第五代V-NAND闪存的量产，以便满足高密度存储领域——超算、企业服务器及移动市场的需求。