晶体缺陷和掺杂对材料的影响。
今天要讲的是后面两部分，咱们废话少说，直接上图。
晶体缺陷：因为前面已经基本提过晶体缺陷了，今天我们就简单回顾一下得了，我就少说话，大家看图吧！
下面我们看一下半导体材料的掺杂效应：
掺杂对能带的影响：N型掺杂的时候，掺杂离子形成的能带距离导带非常近（仅约0.03V），因此其导电性能明显增强。
对于P型掺杂：形成的新的能级到价带的距离仅0.05V，因此也明显提高导电性能。
把费米能级放进来对比：
a.本征半导体，费米能级基本位于导带和价带中间位置
b.对于N型掺杂，费米能级上移，即费米能级下面的能级被填满，上面的能级空出，但空出的带间距变短，自然情况下就会有很多电子跃迁到导带内，提高半导体的导电性；
c.对于P型掺杂，与N型类似，费米能级下移，价带内空穴变多，同样导电性增加。
近代中深能级杂质的作用：复合和陷阱
起复合作用的时候：相当于降低载流子的寿命，可以用来提高器件的速度；
起陷阱作用的时候：延迟载流子复合的时间，合一发出光，与光电效应有关。
掺杂对材料性质的调制效应：对导电性的影响
半导体材料的掺杂效应：可以了解一下，对介电常数的影响
对热稳定性的影响
好了，今天搬砖结束，大家随便看看，还是有些内容可以参考的，多学点东西有时候才能进一步理解自己工艺里面某些步骤为什么要这样做，而不是换一种自己认为的做法，大量实验证明现在的流程是最优化的流程这件事，不是我们随便在目前条件下拉拉窗口就能确认的东西，一定是已经通过更多的实验，在一定范围内，排除了其它类似的方法的结果。
好了，今天就是这些内容，感谢订阅。
赞 (0)