Everspin代理1Mb Serial MRAM芯片MR25H10CDC

Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与SRAM 的速度相结合,同时具有非易失性和节能性。
 
MR25H10CDC是一款位宽128Kx8的非易失存储器MRAM芯片。MR25H10CDC提供串行EEPROM和串行闪存兼容读/写时序,无写延迟和无限读/写耐久性。读取和写入都可以在存储器中随机发生,写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序,MR25H10CDC在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业(-40℃至+85℃)和AEC-Q1001级(-40℃至+125℃)工作温度范围选项。MR25H10CDC采用5mmx6mm8引脚DFN封装。两者都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。
 
1Mb串行mram特性
·无写入延迟
·无限写入耐久性
·数据保留超过20年
·断电时自动数据保护
·块写保护
·快速、简单的SPI接口,时钟速率高达40MHz
·2.7至3.6伏电源范围
·低电流睡眠模式
·工业温度
·提供8引脚DFN RoHS兼容封装
·直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
·AEC-Q1001级选项
 
MRAM可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。,市场上已有从非常小的 MRAM 芯片到1Gb芯片的MRAM芯片,并且正在将这种技术用于许多应用。这使得 MRAM 适用于汽车、工业、军事和太空应用。

MR25H10系列产品

Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp Order Multiple / T&R MOQ / T&R
1Mb 128Kx8 MR25H10CDC 8-DFN 3.3V Industrial 4,000 4,000
1Mb 128Kx8 MR25H10MDC 8-DFN 3.3V AEC-Q100 Grade 1 4,000 4,000
1Mb 128Kx8 MR25H10CDF 8-DFN sf 3.3V Industrial 4,000 4,000
1Mb 128Kx8 MR25H10MDF 8-DFN sf 3.3V AEC-Q100 Grade 1 4,000 4,000
1Mb 128Kx8 MR25H10MDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 4000 4000
1Mb 128Kx8 MR25H10MDCR 8-DFN 3.3v AEC-Q100 Grade 1 4000 4000
1Mb 128Kx8 MR25H10CDFR 8-DFN sf 3.3v Industrial 4000 4000
1Mb 128Kx8 MR25H10CDCR 8-DFN 3.3v Industrial 4000 4000
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