【IWAPS 2020报告】如何减少EUV光刻中的随机问题
编者按：极紫外(EUV)光刻技术已经准备好在7nm及以下技术节点中应用。实现EUV光刻的一个关键因素是EUV光刻胶材料的选择，该材料必须具有15nm半周期以下分辨率，并且具有很高的灵敏度。然而，即使使用最新的EUV光刻胶，其性能仍然不足以满足真正的大批量制造(HVM)的要求。其中一个关键的问题是随机效应导致的“缺陷”，如纳米桥连或纳米缩颈(nano-pinching)。本报告介绍了如何减少EUV光刻中的随机问题。
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