GaN|JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布可评估GaN功率转换器件连续开关状态的新测试方法

JEDEC固态技术协会发布JEP182《氮化镓功率转换器件的连续开关评估测试方法》。JEP182由JEDEC的JC-70宽禁带功率电子转换半导体委员会编制。（JEP182原文或在JEDEC官网上注册后免费下载，或与我们联系）

需求背景

现有硅功率晶体管安全工作区（SOA）测试方法不足以全面表征GaN功率晶体管。GaN器件的开关速度非常快，并且在多个开关过程中同时经历电压和电流应力。因此，除了传统的SOA外，还需要在连续开关条件下测试GaN功率晶体管。

主要内容

为了能够成功采用GaN功率晶体管，需要证明在功率转换应用中的可靠操作和开关寿命。JEP182帮助满足这一需求，用于功率转换应用中连续开关条件下GaN功率晶体管的可靠性评估、测试和表征。JEP182文件描述了GaN功率晶体管连续开关的测试方法并给出了建议的测试电路。

意义

之前由JC-70发布的JEP180描述了如何使用这些电路来评估开关可靠性（详情参见此前推送）。JEP182与之前由JC-70发布的指南一起，扩展JEDEC关于GaN指南的生态系统。（JEP180和JEP173详情参阅于此。）

自评

德州仪器技术创新架构师、JC-70主席Stephanie Watts Butler博士说：“作为之前发布的JEP180的一个备受期待的补充，JEP182将进一步帮助促进全行业采用GaN功率器件，满足汽车和数据中心等众多应用和行业。”

信息来源

https://www.semiconductor-digest.com/2021/01/27/jedec-wide-bandgap-power-semiconductor-committee-publishes-new-test-method-for-continuous-switching-evaluation-of-gan-power-conversion-devices/