汉能在铜铟镓硒（CIGS）、砷化镓（GaAs）

汉能在铜铟镓硒（CIGS）、砷化镓（GaAs）的多条技术路线上保持、刷新了多项世界转换效率纪录；其中，汉能铜铟镓硒Solibro玻璃基组件有效面积转换效率达到18.72%，为铜铟镓硒量产组件世界纪录；铜铟镓硒MiaSole柔性电池研发效率达到19.4%，为柔性铜铟镓硒溅射法世界纪录；铜铟镓硒GSE柔性电池研发效率达到19.3%，为柔性铜铟镓硒共蒸发法世界纪录；砷化镓双结电池研发效率达到31.6%、单结电池研发效率达到29.1%、单结组件效率达到25.1%，分别为砷化镓单结电池、单结组件的世界转换效率纪录。此外，高效硅异质结（SHJ）电池研发效率亦于年内再创新高，达到24.23%，并获得日本JET认证。