100V MOS 15A低结电容低开启电压1.8V 方案原理

HG080N10L惠海半导体

MOS管参数：100V15A（15N10）

低内阻：60mR（VGS=10V）

低结电容：310pF

类型：SGT工艺NMOS

低开启电压：1.8V

封装：TO-252

高频率 大电流

低开启电压 低内阻 结电容小

低消耗 温升低 转换效率高

过电流达 抗冲击能力强

SGT工艺 开关损耗小