UC头条:半导体材料产能短缺将围绕2021年, SiC将进入爆发机会

随着国家对新能源汽车的扶持政策越来越多,销售市场将越来越对外开放,这有利于所有搭载功率半导体的汽车的发展趋势。第三代半导体材料,尤其是SiC,2021年肯定会有一个很好的爆发。”随着各种项目投资的发展,CorePolyNuclear感觉mainlandChina的第三代半导体公司(包括基板、延伸、芯片制造、封装测试和应用)已经有了长足的进步,发展趋势非常快,与国际标准的差距进一步缩小。

2020年,半导体行业经历了全球疫情和国际形势的复杂多变,广东芯聚半导体材料有限公司(以下简称“芯聚”)对2021年该领域的发展趋势给出了答案。

产能短缺将围绕2021年展开。

核心何炬认为,由于新能源汽车和清洁能源产业链的快速发展趋势,加上大数据中心的快速发展趋势,功率半导体的整体要求进一步快速提高,为所有功率半导体产业链创造了发展趋势机遇。mainlandChina的功率半导体将有更强的发展趋势,占据更高的市场份额。

Coreaggregation是一家为新能源汽车和一般工业产品设计和制造电源集成电路,并开发、设计和制造电源模块的新技术公司。致力于IGBT/碳化硅功率模块和电力电子器件的研发、设计方案、封装、测试和营销推广等业务流程,为客户提供详细的解决方案。

针对2020年所有集成电路芯片晶圆产能紧急短缺,核心聚合表明,这种情况很可能围绕2021年,这与部分商品产能焦虑和中下游商品大幅下降有关。此外,由于芯片加工和产能的焦虑,许多中小型工程设计公司不得不提前付款购买具有完全产能和储备产能的房子,这也加剧了中小型工程设计公司的资产短缺。此外,芯片加工和生产能力进一步向大企业倾斜,2021年小工程设计公司将更加困难。

SiC将进入爆发的契机。

随着国家对新能源汽车的扶持政策越来越多,销售市场将越来越对外开放,这有利于所有搭载功率半导体的汽车的发展趋势。

自从特斯拉将SiCMOSFET引入主驱动并迅速大规模生产以来,中国的新能源汽车逐渐在销售市场上得到跟踪和广泛接受。于是,SiC组件的“杀手级应用”问世,被认定为新能源汽车。

碳化硅作为重要的第三代半导体器件,在过去的两年里发展迅速。最初,碳化硅衬底的供应不足。为了更好的应对这个问题,Cree与几家重要企业签订了长期供货协议,并于2019年5月宣布在未来五年投资10亿美元扩建基材生产线。此外,英飞凌用底物生产技术回收了斯莱特里亚,ST回收了Norstel55%的股份。

“随着基板生产能力的进一步扩大,缺陷的相对密度进一步降低,生产率进一步提高。第三代半导体材料,尤其是SiC,2021年肯定会有一个很好的爆发。”核心聚集核心去感受。

我坚信,随着SiC芯片加工产量的进一步增加,它可能会吸引国际顶级企业加入市场竞争。对于SiC元器件,尤其是MOSFET,价格会进一步降低,这也为SiC元器件获得较大的市场份额树立了标准。核心聚集首席总裁周晓阳表示,目前,越来越多的游戏玩家将进入汽车SiC零部件行业。此外,随着该领域的快速发展趋势,所有销售市场的合理布局是不可预测的。

周晓阳觉得,与光伏材料相比,SiC可以实现更高的结温、更高的频率和更高的耐压,这将使纯电动汽车的电驱动运行更加合理,增加里程,降低可充电电池的成本,同时也减少了所有电驱动系统软件的体积和净重;可以用来切断速度更快、体积更大的电池充电计划;由于碳碳复合材料的突出特点和自身成本的不断降低(原材料的加工工艺更加完善),将产生系统软件级成本的优势,加速其在纯电动汽车销售市场的应用。据此,SiC未来将有很大的提升机会。

虽然未来前景很好,但SiC集成电路本身在磁场强度、能隙、热导率、熔点、电子器件的电子密度等方面都有新的特点。,这显然对包装提出了新的规定和挑战。如果你想从设计方案到批量生产商品,其中的加工技术将会经历许多严峻的挑战。

据统计,核心-多核半导体材料的重点是整车规格级和工业生产级的电力电子器件和控制模块的封装测试和应用。其工业生产级产品已经在一些领域龙头企业进入量产,包括车辆规格级硅基IGBT和SiC主传动控制模块,已在龙头汽车企业认证工作中成功开展。产品的特性和稳定性已经达到了国际上价格较低的大型工厂的水平,今年下半年将进入量产。

整个产业链共同努力,缩小与国际优秀标准的差距。

第三代半导体材料的定义在2020年非常流行。随着各种项目投资的发展,CorePolyNuclear感觉mainlandChina的第三代半导体公司(包括基板、延伸、芯片制造、封装测试和应用)已经有了长足的进步,发展趋势非常快,与国际标准的差距进一步缩小。

但除此之外,我们可以看到,中国对第三代半导体材料的投资也是蜂拥而至,很少有人能完成合理的商业产能。核心汇聚核心直言不讳,虽然mainlandChina第三代半导体材料与国际优秀水平的差距远小于mainlandChina硅基集成电路芯片先进技术与国际优秀水平的差距,但差距也是多方面的,体现在原材料、机械设备、产品质检能力等方面。

“只有整个产业链加大合作范围,每个细分阶段都有很多重要的公司合作进行科技研究,才能尽快变小,才能和国际优秀标准的差距缩小。此外,互利的国际交流也是不可或缺的。”核心聚集和填充。

最后,谈到人才,Core何炬表示,作为一家初创公司,它已经招聘了三年超过两位数的应届毕业生,并制定了非常详细的培训计划。现阶段已经有一批新人独立了。

“专注于自己培养人才,向招收应届毕业生学习,塑造应届毕业生,为产业链创造大量生力军。”是培养核心人才的基础部分。

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