台积电发布最新CoWoS封装工艺：最大芯片面积可达原版的两倍

上周台积电和博通联手公布了最新强化版的CoWoS封装工艺，强化版CoWoS能够支持最大面积为1700mm²的中介层，这也就意味着它能够封装出更大面积的芯片来，在多芯片上互联渐成趋势的现在，更大面积意味着更高的性能上限。

CoWoS全称Chip-on-Wafer-on-Substrate，是一种2.5D封装技术，多见于使用HBM的计算芯片上，我们比较熟悉的有NVIDIA的Tesla V100和Radeon VII。

Radeon VII上面的核心，使用CoWoS工艺封装

实际上从2012年台积电发布这项技术以来他们已经对CoWoS进行了多次强化，中介层的最大面积从约1070mm²扩张到了约1700mm²。更大面积的中介层可以封装下更多的HBM模组，从而提供更高的内存带宽。在最新版CoWoS上面，已经可以封装下6枚HBM，最大容量可达96GB，此时的带宽高达2.7TB/s，比2016年的CoWoS高了2.7倍。

新版的CoWoS将支持台积电在开发中的N5制程，首批使用新版技术的客户中将会有博通。预计未来将有诸如AI处理器、机器学习处理器这样对芯片规模有较高要求的芯片会使用上CoWoS，当然，高性能的通用计算卡也会用上它。