西数首发96层堆栈UFS 2.1闪存：最大256GB，800MB/s速度

2018年NAND闪存价格下跌，智能手机的存储容量也越来越大，今年皇帝版手机容量提升到了512GB，锤子科技的坚果R1还首发了1TB存储，中低端手机容量也达到了64GB，128GB容量的手机也比比皆是。除了容量进步，今年的NAND闪存还会进入96层堆栈时代，西数日前宣布推出全球首个96层堆栈的UFS 2.1闪存iNAND MC EU321，容量32GB到256GB，读取速度最大800MB/s，写入最高550MB/s。

西数的闪存源自被收购的闪迪，后者是跟东芝共同投资生产NAND闪存的，9月底双方投资的四日市Fab 6工厂启用，总投资5000亿日元，折合约45亿美元，落成后主要生产新一代3D NAND闪存，堆栈层数可达96层。此前东芝、西数也宣布了96层3D NAND闪存的出样，现在西数首发了业界第一款96层堆栈的UFS 2.1闪存iNAND MC EU321。

西数官方公告中没有提到iNAND MC EU321是TLC闪存还是QLC闪存，考虑到最大容量才256GB以及QLC闪存的进度，iNAND MC EU321使用TLC类型的可能性还是最高的。

iNAND MC EU321容量涵盖32GB、64GB、128GB及256GB，UFS 2.1 HS-G3标准，封装尺寸为11.5x13x1.0mm。性能方面，连续读取可达800MB/s，连续写入550MB/s，随机写入52K IOPS，随机读取50K IOPS，写入性能号称比前代提升10%。