除了拍照、超声波指纹之外，三星Galaxy S10或首发LPDDR5、UFS 3.0

三星依然是全球智能手机市场的老大，只是在智能手机技术上三星这几代产品都在挤牙膏，Galaxy大改要到明年的Galaxy S10手机上了，之前传闻它会用上超声波指纹识及全新大底双摄技术，而在硬件配置上，Galaxy S10也有可能首发LPDDR5内存及UFS 3.0闪存。

明年的Galaxy S10手机除了设计、拍照等方面的改进之外，硬件配置显然也会再上一个台阶，用上高通骁龙855、三星9820处理器是顺理成章的升级，而在内存、闪存上还有可能来个大招，首发LPDDR5内存及UFS 3.0闪存。

OC3D网站爆料称三星今年夏天就会开始LPDDR5内存的生产，并与UFS 3.0闪存一起提供，这两种存储芯片的速度都要高于前代。

在这个问题上，下半年量产UFS 3.0闪存问题不大，UFS 3.0标准今年初已经发布，相比现在的UFS 2.0/2.1，UFS 3.0采用的带宽规范是HS-Gear4（G4），再次实现带宽翻倍，也就是单通道双向11.6Gpps，因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps，换算下速度在1.5-3GB/s左右，这速度跟M.2 SSD硬盘有得一拼了。

至于LPDDR5内存，这个标准跟DDR5息息相关但又保持一定的独立，DDR5最终规范还没发布，但是DDR5产品已经研发多年了，预计今年底就会有相关产品出现，LPDDR5则是DDR5的低功耗版，明年上市倒也可能。

不论LPDDR5还是UFS 3.0，明年的智能手机内存、闪存容量及性能再次提升是跑不了的，只希望Galaxy S10别再是4+64GB起步了。