MOSFET作为开关-何时处于饱和状态?

我在面包板上连接了以下电路。

我使用电位计来改变栅极电压。这让我感到困惑:根据维基百科,当V(GS)> V(TH) V(DS)> V(GS)-V(TH)时,MOSFET处于饱和状态。

如果我从0开始缓慢增加栅极电压,则MOSFET保持截止状态。当栅极电压约为2.5V左右时,LED开始传导少量电流。当栅极电压达到4V左右时,亮度停止增加。当栅极电压大于4V时,LED的亮度不变。即使我将电压从4迅速增加到12,LED的亮度仍保持不变。

在增加栅极电压的同时,我还监视漏极至源极的电压。当栅极电压约为4V时,漏极至源极的电压从12V下降至接近0V。这很容易理解:由于R1和R(DS)构成一个分压器,并且R1比R(DS)大得多,因此大部分电压都在R1上下降。在我的测量中,R1上下降了约10V,其余的红色LED上下降了(2V)。

但是,由于V(DS)现在大约为0,所以不满足条件V(DS)> V(GS)-V(TH),MOSFET是否不处于饱和状态?如果是这种情况,如何设计MOSFET处于饱和状态的电路?

注意:IRF840的R(DS)为0.8欧姆。V(TH)在2V至4V之间。Vcc为12V。



这是我绘制的电路负载线。

现在,从我从这里得到的答案中可以得出的结论是,为了将MOSFET作为开关工作,工作点应朝负载线的左侧。我的理解正确吗?

并且,如果在上图中施加MOSFET特性曲线,则工作点将位于所谓的“线性/三极管”区域。实际上,开关应尽快到达该区域,以便有效地工作。我明白了还是我完全错了?


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是的,为了用作开关,MOSFET应该位于线性/三极管区域,是的,您希望尽快到达该区域,以最大程度地减少损耗。

mazurnification 2011年


非常感谢你。最后,如果有人用MOSFET制成模拟A类放大器-他会在“饱和”区域工作吗?工作点应该在负载线上的饱和区域内移动吗?

萨德


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是的,这是正确的-对于A类放大器,MOSFET应该在饱和区域内工作。

mazurnification 2011年


我认为mazurnification的评论实际上应该是公认的答案,因为它简洁而正确:-)

Jon Watte 2013年

Answers:


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首先,MOSFET的“饱和”意味着VDS的变化不会在Id(漏极电流)中产生明显的变化。您可以考虑将MOSFET饱和作为电流源。那与VDS两端的电压无关(当然有限制),流经器件的电流将(几乎)恒定。

现在回到问题:

根据维基百科,当V(GS)> V(TH)并且V(DS)> V(GS)-V(TH)时,MOSFET处于饱和状态。

那是对的。

如果我从0开始缓慢增加栅极电压,则MOSFET保持截止状态。当栅极电压约为2.5V左右时,LED开始传导少量电流。

您将Vgs增加到NMOS的Vth以上,因此形成了通道并开始导通器件。

当栅极电压达到4V左右时,亮度停止增加。当栅极电压大于4V时,LED的亮度不变。即使我将电压从4迅速增加到12,LED的亮度仍保持不变。

您增加了Vgs,使设备传导的电流更大。在Vgs = 4V时,限制电流量的不再是晶体管,而是与晶体管串联的电阻。

在增加栅极电压的同时,我还监视漏极至源极的电压。当栅极电压约为4V时,漏极至源极的电压从12V下降至接近0V。这很容易理解:由于R1和R(DS)构成一个分压器,并且R1比R(DS)大得多,因此大部分电压都在R1上下降。在我的测量中,R1上下降了约10V,其余的红色LED上下降了(2V)。

一切看起来都井井有条。

但是,由于V(DS)现在大约为0,所以不满足条件V(DS)> V(GS)-V(TH),MOSFET是否不处于饱和状态?

不它不是。它位于线性或三极管区域。它在该区域中充当电阻器。即增加Vds将增加Id。

如果是这种情况,如何设计MOSFET处于饱和状态的电路?

你已经有了。您只需要注意操作点即可(确保满足您提到的条件)。

A)在线性区域中,您可以观察到以下内容:->当增加电源电压时,随着电阻器和晶体管上的电流上升,LED会变亮,从而有更多的电流流过LED。

B)在饱和区域中会发生不同的事情->当增加电源电压时,LED亮度不会改变。您在电源上施加的额外电压不会转换为更大的电流。取而代之的是它将跨过MOSFET,因此漏极电压将随电源电压一起上升(因此,将电源电压增加2V意味着漏极电压将增加近2V)。


非常感谢您提供详尽的答案。您声明“已经拥有。您只需要注意操作要点(请确保满足您提到的条件)”。-请参阅我对原始问题的编辑。我的理解是否正确,为了使MOSFET能够用作开关,工作点必须位于左侧?由于通常情况下,一个电源电压不会改变,这意味着栅极电压应该尽可能高吗?

萨德


是和是(最大的VGS可行以降低Rds_on,并使设备作为开关MOSFET工作在线性区域)

mazurnification 2011年


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我在Wikipedia文章的上下文中解释“饱和”的含义如下:

MOSFET的数据表将显示一个曲线图,该曲线显示在特定特定的特定,通常是针对许多不同的值。IDIDVDSVDSVGSVGSVGSVGS

在此示例中,红色的抛物线将所谓的“线性”区域与“饱和”区域分开。在饱和区域,线平坦-随着增加,电流不再增加。在线性区域,随着漏极电流的增加,也会增加-MOSFET的作用类似于电阻。IDIDVDSVDSVDSVDS

在您的情况下,假设您的零件具有与示例类似的曲线,技术上为“否”,则该设备不在饱和区域。就是说,您的非常低,以至于压降与串联电阻相比很小。不管上升到什么,与电阻相比,MOSFET的“线性”压降都很小,并且“看起来”饱和。IDIDVDSVDSVGSVGS390Ω390Ω


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这里的其他答案很好地解释了适用于MOSFET的术语“饱和”。

我只在这里指出,这种用法与双极晶体管和某些其他类型的器件的用法有很大不同。

该术语正确用于MOSFET,其中

  • V(DS)> V(GS)-V(TH)

但是它本来不应该是。
但这是事实,所以要意识到这一点。

双极晶体管(而非MOSFET)在硬导通时处于“饱和”状态。增强模式MOSFET(最常见的一种)中的等效条件是“完全增强”但其正确术语已被盗。


添加:

相对于源极= Vgs,通过施加到栅极的电压来“导通” MOSFET。
FET开始导通并传导规定量电流所需的Vgs被称为“栅极阈值电压”或仅仅是“阈值电压”,通常写为Vgsth或Vth或类似值。
Vth表示操作FET需要多少电压,因为开关BUT实际的完全增强的Vgs通常是Vgsth的几倍。另外,完全增强所需的Vgs随所需的ID而变化。

从Madmanguruman的答案中复制的该图显示,在Vgs = 7V时,Ids / Vds方向大约是线性的,直到大约Ids = 20A,因此FET被“充分增强”,并且看起来像电阻器。对于此FET,Vds在约20A时约为1.5V,因此Rdson约为R = V / I = 1.5 / 20 = 75毫欧。
对于此FET,在Vgs = 1V处有一条曲线,因此VGSth = Vth在100uA时可能在0.5V-0.8V范围内。


是。这也是我记得学习的东西。但是这是维基百科的文章。您需要向下滚动到“饱和或活动模式”标题。en.wikipedia.org/wiki/MOSFET 您认为这是错误的吗?

萨德


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@saad-困惑是他们使用术语“饱和度”来表示类似“线性区域”的内容。饱和度的英语含义是最大,因此它们的用法充其量是很差的并且容易引起误解。这可能是标准用法,也可能不是,但这不是很好。

罗素·麦克马洪


谢谢。那篇文章现在很混乱。您是否愿意担任我的主笔书或文章,使我可以了解更多有关MOSFET的信息?绝对希望避免混淆术语!

萨德


“饱和意味着不同”的事实确实令人困惑。那么,MOSFET的“硬打开”的正确术语是什么,以及如何确定给定MOSFET需要的栅极电压呢?

Duncan C


3
“硬”,“完全打开”和“完全增强”。为什么我感觉自己的ED治疗广告不好?“增强自己的全部潜能!感受潮流的冲动!” :)

Duncan C


4

要看到饱和,您需要做的是提供足够的电压,直到最终电压的升高对电流没有影响为止。
为此,将Vgs设置为静态导通(> Vth)值,然后升高Vds两端的电压并测量电流。最初,它会以线性方式上升,处于欧姆或线性区域,但最终会趋于平坦,尽管进一步提高了流经MOSFET的电流,仍将保持不变。

关于饱和度的定义,我理解MOSFET中的饱和度/线性与BJT中的饱和度/线性大致相反。该文件(下MOSFET表征了几页)提出类似,但只要你了解他们的工作,什么用术语的意思,那么你就应该没问题(至少直到你讨论与别人:-)晶体管)


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这是否意味着处于饱和状态的MOSFET就像限流器一样工作?

Duncan C


的确如此,JFET也有基于JFET的限流器。EG:1N5298 en.wikipedia.org/wiki/Constant-current_diode

贾森



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B)在饱和区域中会发生不同的事情->当增加电源电压时,LED亮度不会改变。您在电源上施加的额外电压不会转换为更大的电流。取而代之的是它将跨过MOSFET,因此漏极电压将随电源电压一起上升(因此,将电源电压增加2V意味着漏极电压将增加近2V)。

怎么会这样?增加电源应仅将V ds增加Id X Rds(on)。考虑到LED的正向压降几乎相同,则增加的电压将必须由串联电阻器和器件共享。由于电阻值更大(390欧姆,而设备的电阻值为0.8欧姆),所以压降的主要部分必须分布在电阻两端。此外,随着电阻的增加,漏极电流将明显增加。MOSFET损耗在稳定状态下计算为电流平方乘以Rds(on)。因此,观察到“漏极电压将与电源电压一起上升(因此,将电源电压增加2V将意味着将漏极电压增加近2V)”是不正确的

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