我国宽禁带半导体科技的开拓者——郝跃院士科研团队
作为我国著名微电子学与固体电子学家，郝跃院士开拓和引领了我国第三代（宽禁带）半导体材料与器件的发展，创建了我国第三代半导体氮化镓外延生长、器件结构以及制造工艺的理论与技术体系，实现了我国第三代半导体从核心设备、材料到器件的重大创新，为我国在氮化物第三代半导体电子器件步入国际领先行列做出了重要贡献。
宽禁带半导体材料与器件发展历程
上世纪九十年代，信息科技蓬勃兴起，作为信息时代技术基础的集成电路-微电子技术成为大热门。郝跃敏锐地感觉到传统的微电子技术研究已经遇到了问题，寻找新的方向，是学术带头人郝跃直觉到的内在要求。他把目光转向化合物半导体，并最终聚焦到国际上刚起步的宽禁带半导体材料——氮化镓、碳化硅。他看到，宽禁带半导体材料研究可以把电子学与光学紧密结合，必然具备单纯的电子学或光学不具备的优势，同时也有很高的学术和应用价值，容易形成先发优势。
于是，他的研究开始聚焦到国际上刚起步的宽禁带半导体材料氮化镓、碳化硅，并将突破高质量的宽禁带半导体材料，通过一系列微电子工艺技术做成宽禁带半导体器件和集成电路，再把其推广应用到生产生活各个领域，作为自己及其团队的责任和使命。
新型氮化物半导体国际上称为第三代材料，又称为宽禁带半导体材料。氮化物半导体器件在通信、电力系统、照明、生物、医疗，以及军事领域具有十分广泛的应用前景。
对此，郝跃和团队的研究取得了一系列创新成果，2004年，西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室挂牌；2005年前后，国内宽禁带半导体产业开始发展之时，西安电子科技大学的宽禁带半导体研究已经有了深厚的积累，出版了国内最早探讨宽禁带半导体的专著《碳化硅宽带隙半导体技术》；2007年，宽带隙半导体技术国家重点学科实验室获批；2019年，国家工程研究中心建设获批。
如今，以郝跃为学术带头人的宽带隙半导体技术国家重点学科实验室，已成为国内外宽禁带半导体材料和器件科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地，引领我国宽禁带半导体研究自主发展，服务产业工程应用。
郝跃科研课题组介绍
郝跃院士团队是国家首批国防科技创新团队、西安电子科技大学优秀创新团队，国内最早开展宽禁带半导体材料与器件研究的团队，在国内外有显著的学术影响力。
主要研究方向包括：宽禁带半导体材料与器件、微纳米半导体器件与器件物理、SoC设计与设计方法学、半导体器件可靠性与失效物理等。
研究团队拥有1200平米超净实验室，拥有从设备制造、材料生长、器件设计、工艺流片、可靠性测试分析的全套实验平台，设备价值1.2亿元，在国内高校首屈一指。研究团队得到了国家科技重大专项、863计划、973计划、国家自然科学基金等多项重大项目的支持，经费充足，年均科研经费5000-9000万元。
团队带头人：郝跃院士
郝跃，男，汉族，1958年3月生于重庆市，籍贯安徽阜阳，2014年加入九三学社。中国科学院院士，微电子学家。
IEEE高级会员，中国电子学会常务理事，陕西电子学会、集成电路行业协会和陕西半导体照明协会理事长。国家重大专项实施专家组组长，总装微电子专家组组长，国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员。现任九三学社中央常委、陕西省委会主委，中国侨联常委、陕西省侨联主席，西安电子科技大学微电子学院教授、博士生导师，全国政协委员。
长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养，是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。他在氮化镓/碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体照明短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
参考来源
西安电子科技大学官网、陕西科技传媒、陕西科技报社、百度百科